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功能特性,SUNX微型激光位移傳感器

功能特性,SUNX微型激光位移傳感器

  • 所屬分類:松下SUNX
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2019-10-26
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術(shù)參數(shù)

功能特性,SUNX微型激光位移傳感器

嬌.png

描述

穩(wěn)定檢測(cè)10 穩(wěn)定檢測(cè)10μm的CMOS激光傳感器 m的CMOS激光傳感器

形狀達(dá)到業(yè)內(nèi)小型級(jí)別 ※進(jìn)深:25mm業(yè)內(nèi)較短

W20mm×H44mm×D25mm

※截止到2014年3月,

配備模擬輸出

·直線性:±0.1%F.S. ·溫度特性:0.03%F.S./℃

不僅能以mm為單位顯示數(shù)值,還能讀取模擬電壓輸出。

讀入到PLC+模擬量單元,還能執(zhí)行各種運(yùn)算,并存儲(chǔ)(記錄)測(cè)量值。

PLC

?FP0R-C10控制單元 (帶RS232C端口) AFP0RC10CRS

?A/D轉(zhuǎn)換單元 輸入8ch (端子臺(tái)型) AFP0401

設(shè)計(jì)出內(nèi)部安裝有鏡面的新型光學(xué)系統(tǒng)

一般通過(guò)延長(zhǎng)受光部分與受光元件

(CMOS)之間的光路長(zhǎng)度,從而可獲

得精度更高、更穩(wěn)定的測(cè)量值,但

是另一方面,傳感器的進(jìn)深方向會(huì)變

長(zhǎng),機(jī)身形狀也會(huì)變大。HG-C系列

設(shè)計(jì)出內(nèi)部設(shè)置反射鏡的新型光學(xué)系

統(tǒng),并縮短進(jìn)深方向的尺寸,同時(shí)又

可實(shí)現(xiàn)與變位傳感器相媲美的

測(cè)量。

CMOS影像傳感器&配備獨(dú)特的算法

采用位移傳感器所使用的CMOS影像傳感器,以及位移傳感器

一直使用的本公司獨(dú)特的算法,實(shí)現(xiàn)了至今未有的微型激光傳感器

1mm/100mm的。

溫度特性 0.03%F.S./℃

光源 紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(jí)(FDA)(注2)

輸出:1mW、投光峰波長(zhǎng)度:655nm

紅色半導(dǎo)體激光 Ⅰ級(jí)(JIS/IEC/GB)

輸出:0.2mW、投光峰波長(zhǎng)度:655nm

光束直徑 約φ50μm 約φ70μm 約φ120μm 約φ300μm 約φ500μm 約φ150μm 

受光元件 CMOS圖像傳感器

電源電壓 12V DC~24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%

消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))

控制輸出

〈NPN輸出型〉

NPN開路集電極晶體管

·流入電流:50mA

·外加電壓:30VDC以下(控制輸出和0V之間) ·剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時(shí)) ·漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉

PNP開路集電極晶體管

·源電流:50mA

·外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間) ·剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時(shí)) ·漏電流:0.1mA以下

輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換

短路保護(hù) 配備(自動(dòng)復(fù)位式)

模擬輸出

·輸出范圍:0V~5V(正常時(shí));5.2V(報(bào)警時(shí))

功能特性,SUNX微型激光位移傳感器

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