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歐姆龍終端繼電器安裝使用,G6D-F4B

歐姆龍終端繼電器安裝使用,G6D-F4B

  • 所屬分類:日本OMRON歐姆龍
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2018-08-15
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點
  • 技術(shù)參數(shù)

歐姆龍終端繼電器安裝使用,G6D-F4B


基本信息

繼電器規(guī)格

操作線圈(單個G6D繼電器)

額定電壓 

(V) 額定電流 

(mA) 線圈電阻 

(Ω) 動作電壓 

(V) 復(fù)位電壓 

(V) 較大容許 

電壓 (V) 功耗 

(mW)

DC 12 18.7 720 70%以下 

* 10%以上 1.3 約200

24 10.5 2880

注1. 額定電流、線圈電阻的值是指, 線圈溫度為+23℃時的值, 公差為±10%。 

2. 動作特性指的是線圈溫度為+23℃時的值。 

3. 較大容許電壓是指, 繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的較大值。 不是連續(xù)容許。 

4. 額定電流包含終端的LED電流。 

* 但僅限上下反向安裝時為75%以下。

開關(guān)部(單個G6D繼電器)

負載 電阻負載(cosφ=1)

額定負載 AC250V 3A、DC30V 3A

額定通電電流 5A

接點電壓的較大值 AC250V、DC30V

接點電流的較大值 5A

開關(guān)容量較大值(參考值) 1,250VA、150W

功率MOS FET繼電器規(guī)格

輸入(單個G3DZ功率MOS FET繼電器)

額定電壓 

(V) 使用電壓 動作電壓 

電平 復(fù)位電 

壓電平 輸入阻抗 額定電流

DC 12 DC9.6~14.4V DC9.6V以下 DC1V 

以上 2kΩ±20% 8.0mA±20%

24 DC19.2~28.8V DC19.2V以下 4kΩ±20% 8.2mA±20%

注:額定電流包含終端的LED電流。

輸出(單個G3DZ功率MOS FET繼電器)

負載電壓 負載電流 浪涌ON電流耐量

AC3~264V 

DC3~125V 100μ~0.3A 6A (10ms)

注:G3DZ上沒有輸出極性。


結(jié)構(gòu)分類

繼電器輸出

接觸電阻 *1 100mΩ以下

動作時間 *2 10ms以下

復(fù)位時間 *2 10ms以下

絕緣電阻 1,000MΩ以上(DC500V兆歐表)

耐電壓 線圈/接點之間 AC2,000V 50/60Hz 1min

同極接點間 AC750V 50/60Hz 1min

耐沖擊電壓 

(線圈/接點之間) 4,000V(1.2×50μs)

振動 耐久 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)

誤動作 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)

沖擊 耐久 500m/s2

誤動作 100m/s2

耐久性 機械 2,000萬次以上(開關(guān)頻率18,000次/h)

電氣 *2 AC250V 3A(電阻負載)10萬次以上 

DC30V 3A(電阻負載)10萬次以上 

(開關(guān)頻率1,800次/h)

故障率P水準(zhǔn)(參考值 *3) DC5V、10mA

使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25~+55℃(無結(jié)冰)

使用環(huán)境濕度 45~85%RH

質(zhì)量 約65g

注:上述值為初始值。 

*1. 測量條件: DC5V 1A 

*2. 環(huán)境溫度條件: +23℃ 

*3. 此值為開關(guān)頻率120次/min時的值。

型號 

G3DZ-4B

功率MOS FET繼電器輸出

動作時間 10ms以下

復(fù)位時間 15ms以下

輸出ON電阻 2.4Ω以下

開路時漏電流 10μA以下(DC125V時)

絕緣電阻 100MΩ以上(DC500V兆歐表)

輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min

振動 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)

沖擊 500m/s2

使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25~+55℃(無結(jié)冰)

使用環(huán)境濕度 45~85%RH

質(zhì)量 約65g

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歐姆龍終端繼電器安裝使用,G6D-F4B

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